当前位置：首页 > 产品中心
碳化硅雜質
碳化硅雜質
碳化硅 百度百科
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。莫桑石也称为（莫桑钻），天然莫桑石可追溯到十九世纪后期，莫桑石一词来源 莫桑石
碳化硅 百度百科
利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高温、強度大、導熱性能良好、抗衝擊等特性，碳化硅一方面可用於各種冶煉爐襯、高温爐窯構件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409212,化学式:CSi,分子量:401,密度:322 g/mL at 25 °C (lit),熔点:2700 °C (lit),沸点:2700℃,水溶性:Soluble in molten alkalis 碳化硅化工百科 ChemBK
带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区
碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。 共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相 碳化硅的结构碳化硅的结晶结构 Silicon Carbide
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
碳化硅，也称为 SiC，是一种 半导体 基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。 第三代半导体器件的优势主要表现在：（1）比导通 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇材料
硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域 eefocus
与氮化镓、氮化铝、氧化镓等禁带宽度大于22eV的材料相比，碳化硅（ SiC ）被归类为宽禁带半导体材料，也被国内称为第三代半导体材料。 分类细分 从材料端来看，半导体行 SiC的物性和特徴 SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。 SiC存在各種晶型（polytype），其物性値各有 何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚ TechWeb
什么是碳化硅碳化硅性能及应用简介 Silicon Carbide
什么是碳化硅？ 碳化硅，又名碳化硅晶须，也称金刚砂、耐火砂、碳硅石。 碳化硅的分子式是SiC。 碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成 同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开，有利于驱动板的布局设计。 下面，我们先从实战数据的角度来感受一下，TO2474这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
4H 碳化硅衬 CASA
本标准阐述了4HSiC 衬底及外延缺陷的图谱,其中包括4HSiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。 本标准给出了4H 碳化硅(4HSiC)衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱,说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响,分析了产生的原因及消除方法,并进行了 同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开，有利于驱动板的布局设计。 下面，我们先从实战数据的角度来感受一下，TO2474这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
碳化硅化工百科 ChemBK
碳化硅 性质 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石 分享 碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？ 为什么？ （怎样判断杂化方式）因为C成四个键所以,有四个电子参与成键 C是2s12p3所以,全参与了杂化成键是sp3杂化作用力是原子间的作用力，算是共价键碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？为什么？（怎样判断杂
深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素与hcl反应生成低沸点的氯 碳化硅 (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 碳化硅封装——三大主流技术！电子工程专辑
新材料篇 第三代半导体 碳化硅SiC深度行研（2）
01 碳化硅外延生产工艺 目前主要有化学气相淀积（CVD）、分子束外延生长法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中，CVD法是最为普及的4HSiC同质外延方法，其优势在于可以有效控制生长过程中气体源流量、反应室温度及压力，改变成膜环境，可以精准控制外延层的厚度 本文重点就低杂散电感封装、高温封装以及多功能集成封装 3 个关键技术方向对现有碳化硅功率器件的封装进行梳理和总结，并分析和展望所面临的挑战和机遇。 1、低杂散电感封装技术 目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用传统 Si器件的封装方式，如图 1 所示 碳化硅(SiliconCarbide，SiC)功率器件封装关键技术 电子
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 1 模块封装形式 随着新兴战略产业的发展对第3代宽禁带功率半导体碳化硅材料和芯片的应用需求，国内外模块封装技术也得到迅速发展，追求低杂散参数、小尺寸的封装技术成为封装的密切关注点，国内外科研团队和半导体产业设计了结构各异的高性能功率模块，提升了SiC基控制器的性能。哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装
一种碳化硅微粉除杂装置及其工艺 百度学术
一种碳化硅微粉除杂装置及其工艺 喜欢 0 阅读量： 40 申请 (专利)号： CN33 申请日期： 20180621 公开/公告号： CNA 申请 (专利权)人： 郑州睿科生化科技有限公司 发明人： 李艳飞 国省代号： 河南;41 主权项：2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图） 中商情报网讯：碳化硅属于第三代半导体材料，处于宽禁带半导体产业的前端，是前沿、基础的核心关键材料。 近年来，伴随国内新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等行业 2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图）
碳化硅与硅：两种材料的详细比较
碳化硅与硅：两种材料的详细比较 硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。 尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。 本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性 功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。 因此，实现更低的开关损耗和更低的导通 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
碳化硅的结构碳化硅的结晶结构 Silicon Carbide
碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。 共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而，由于 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化 百度文库
碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化 碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化 柯俊吉;谢宗奎;林伟聪;赵志斌;崔翔 【期刊名称】《华北电力大学学报 (自然科学版)》 【年 (卷),期】2018 (045)002 【摘 要】为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势首先,简单分析了开通电流 同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开，有利于驱动板的布局设计。 下面，我们先从实战数据的角度来感受一下，TO2474这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
4H 碳化硅衬 CASA
本标准阐述了4HSiC 衬底及外延缺陷的图谱,其中包括4HSiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。 本标准给出了4H 碳化硅(4HSiC)衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱,说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响,分析了产生的原因及消除方法,并进行了 同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开，有利于驱动板的布局设计。 下面，我们先从实战数据的角度来感受一下，TO2474这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗 SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
碳化硅化工百科 ChemBK
碳化硅 性质 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石 分享 碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？ 为什么？ （怎样判断杂化方式）因为C成四个键所以,有四个电子参与成键 C是2s12p3所以,全参与了杂化成键是sp3杂化作用力是原子间的作用力，算是共价键碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？为什么？（怎样判断杂
深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素与hcl反应生成低沸点的氯 碳化硅 (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 碳化硅封装——三大主流技术！电子工程专辑
新材料篇 第三代半导体 碳化硅SiC深度行研（2）
01 碳化硅外延生产工艺 目前主要有化学气相淀积（CVD）、分子束外延生长法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中，CVD法是最为普及的4HSiC同质外延方法，其优势在于可以有效控制生长过程中气体源流量、反应室温度及压力，改变成膜环境，可以精准控制外延层的厚度 本文重点就低杂散电感封装、高温封装以及多功能集成封装 3 个关键技术方向对现有碳化硅功率器件的封装进行梳理和总结，并分析和展望所面临的挑战和机遇。 1、低杂散电感封装技术 目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用传统 Si器件的封装方式，如图 1 所示 碳化硅(SiliconCarbide，SiC)功率器件封装关键技术 电子